本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。
接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子，且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。
非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。

多井知义 服部良祐

日本碍子株式会社

日本国爱知县

本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。
接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子，且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。
非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。