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专利名称
专利号
申请日期
专利状态
1
一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法
CN201710329558.8
2017-05-11
授权
2
基于弛豫铁电单晶薄膜的压电微机械超声换能器及其制备
CN202010306292.7
2020-04-17
审查中-实审
3
压电性单晶基板与支撑基板的接合体
CN201980026646.8
2019-02-13
审查中-实审
4
一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法
CN201910959359.4
2019-10-10
审查中-实审
5
基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法
CN201810568142.6
2018-06-05
审查中-实审
6
一种电刺激诱导制备单晶的方法
CN202010043960.1
2020-01-15
审查中-实审
7
一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法
CN202011136290.4
2020-10-22
审查中-实审
8
单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法
CN201880087282.X
2018-12-21
发明公开
9
一种制备大面积铜Cu(111)单晶的方法
CN201810218065.1
2018-03-16
审查中-实审
10
用于生产硅单晶和多晶硅锭的方法
CN201280048056.3
2012-09-24
失效
11
制造半导体单晶的方法
CN201180017185.1
2011-03-28
审查中-公开
12
一种制备单晶的装置和碳化硅单晶的制备方法
CN201911370512.6
2019-12-26
有效专利
13
一种用于PVT法制备单晶的长晶炉及其应用
CN201911347904.0
2019-12-24
有效专利
14
一种金属砷单晶的制备方法
CN202010285916.1
2020-04-13
审查中-实审
15
一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置
CN201911349995.1
2019-12-24
审查中-实审
16
一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置
CN201911349956.1
2019-12-24
审查中-实审
17
一种高质量碳化硅单晶的制备方法及其装置
CN202010361772.3
2020-04-30
有效专利
18
一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法
CN201911368211.X
2019-12-26
有效专利
19
碳化硅单晶生长装置
CN202010987523.5
2020-09-18
审查中-实审
20
一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜生长装置
CN201710650507.5
2017-08-02
授权
21
一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构
CN202010707407.3
2020-07-22
审查中-实审
22
一种抑制泡生法蓝宝石单晶缩肩的冷却装置
CN202010708972.1
2020-07-22
审查中-实审
23
锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途
CN201711296746.1
2017-12-08
审查中-公开
24
一种区熔硅单晶的加持结构
CN201922248626.5
2019-12-11
有效专利
25
一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统
CN201811565919.X
2018-12-20
有效专利
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