本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种陶瓷连接件及其制备方法和应用，所述陶瓷连接件是将陶瓷母材连接端面进行表面抛光，然后在800～1200℃进行预氧化处理，制得附有氧化层的陶瓷母材；将两块附有氧化层的陶瓷母材按照氧化层对接放置，在反应气氛下1300～1500℃反应进行连接，制得陶瓷连接件。
该方法在无压条件下制得的陶瓷连接具有良好的抗腐蚀性能，室温下接头的剪切强度为80～150MPa，在1200℃下的剪切强度为100～200MPa，残余应力为50～100MPa，该方法通过陶瓷的预氧化，氧化层反应生成与母材成分一致成份，保证连接性能，同时降低陶瓷间接头的残余应力，实现了在无压条件下陶瓷的无痕连接。

何盛金 郭伟明 吴利翔 詹创添 朱林林 林华泰

广东工业大学

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号

本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种陶瓷连接件及其制备方法和应用，所述陶瓷连接件是将陶瓷母材连接端面进行表面抛光，然后在800～1200℃进行预氧化处理，制得附有氧化层的陶瓷母材；将两块附有氧化层的陶瓷母材按照氧化层对接放置，在反应气氛下1300～1500℃反应进行连接，制得陶瓷连接件。
该方法在无压条件下制得的陶瓷连接具有良好的抗腐蚀性能，室温下接头的剪切强度为80～150MPa，在1200℃下的剪切强度为100～200MPa，残余应力为50～100MPa，该方法通过陶瓷的预氧化，氧化层反应生成与母材成分一致成份，保证连接性能，同时降低陶瓷间接头的残余应力，实现了在无压条件下陶瓷的无痕连接。