本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件及其制备方法和应用。
所述高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件是将高熵合金AlCoCrFeNi粉体与SiC粉体混合，用无水乙醇作溶剂，搅拌超声成均匀的钎料，将钎料均匀涂抹于抛光后的SiC表面，采用SPS烧结在1000～1400℃热处理，连接压力为5～30MPa制得；所述连接件的结构为SiC/AlCoCrFeNi‑SiC/SiC。
本发明高熵合金作为连接层时，不仅可以实现碳化硅陶瓷的低温连接，而且可以减小陶瓷连接体的内应力，连接件可应用于高温高压等苛刻的工作环境，尤其在核工业具有广泛的应用。

郭伟明 牛文彬 吴利翔 朱林林 车金涛 林华泰

广东工业大学

510062 广东省广州市大学城外环西路100号

本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件及其制备方法和应用。
所述高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件是将高熵合金AlCoCrFeNi粉体与SiC粉体混合，用无水乙醇作溶剂，搅拌超声成均匀的钎料，将钎料均匀涂抹于抛光后的SiC表面，采用SPS烧结在1000～1400℃热处理，连接压力为5～30MPa制得；所述连接件的结构为SiC/AlCoCrFeNi‑SiC/SiC。
本发明高熵合金作为连接层时，不仅可以实现碳化硅陶瓷的低温连接，而且可以减小陶瓷连接体的内应力，连接件可应用于高温高压等苛刻的工作环境，尤其在核工业具有广泛的应用。