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专利摘要

本发明公开了一种HMX大单晶的快速制备方法,包括以下步骤:将普通HMX晶体溶解于DMSO中形成高浓度结晶溶液;将高浓度结晶溶液在0℃~30℃下静置12h~24h;向静置后的高浓度结晶溶液中加入有机小分子不良溶剂,得到待结晶溶液;在0℃~30℃下,将待结晶溶液静置,溶剂自然挥发,结晶3d~20d,然后过滤、洗涤、干燥,得到单质炸药HMX大尺寸单晶晶体。
本发明通过在HMX高浓度结晶溶液中添加有机小分子不良溶剂的方法,利用溶剂自然挥发和晶体生长的自然趋动力,经过结晶制备了粒径为2mm~5mm的大尺寸多面体β‑HMX单晶晶体,该方法工艺流程简单,条件温和,过程安全,适宜工业化生产。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910966243.3
申请日
2019-10-12
公开日
2019-12-20
公开号
CN110590481A
主分类号
/C/C06/ 化学;冶金
标准类别
炸药;火柴
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

齐秀芳 李晓炜 叶思伟 唐杰 魏应东 孔蓓蓓 伍波 段晓惠 裴重华

申请人

西南科技大学

申请人地址

621010 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号

专利摘要

本发明公开了一种HMX大单晶的快速制备方法,包括以下步骤:将普通HMX晶体溶解于DMSO中形成高浓度结晶溶液;将高浓度结晶溶液在0℃~30℃下静置12h~24h;向静置后的高浓度结晶溶液中加入有机小分子不良溶剂,得到待结晶溶液;在0℃~30℃下,将待结晶溶液静置,溶剂自然挥发,结晶3d~20d,然后过滤、洗涤、干燥,得到单质炸药HMX大尺寸单晶晶体。
本发明通过在HMX高浓度结晶溶液中添加有机小分子不良溶剂的方法,利用溶剂自然挥发和晶体生长的自然趋动力,经过结晶制备了粒径为2mm~5mm的大尺寸多面体β‑HMX单晶晶体,该方法工艺流程简单,条件温和,过程安全,适宜工业化生产。

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