本发明属于二维材料制备技术领域，具体为分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法。
本发明方法包括：首先，将单体和经过退火处理的金属衬底放入化学气相沉积系统中，在特定气流下使单体和衬底达到需要的反应温度，反应一定时间；然后，待体系冷却后将衬底取出，在衬底上得到聚噻吩二维薄膜。
本发明的制备方法工艺简单，反应温度低，成本低廉，适用于大规模生产，且由于金属催化衬底的表面限域效应，所制备的聚噻吩薄膜具有分子级厚度。

魏大程 易孔阳

复旦大学

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于二维材料制备技术领域，具体为分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法。
本发明方法包括：首先，将单体和经过退火处理的金属衬底放入化学气相沉积系统中，在特定气流下使单体和衬底达到需要的反应温度，反应一定时间；然后，待体系冷却后将衬底取出，在衬底上得到聚噻吩二维薄膜。
本发明的制备方法工艺简单，反应温度低，成本低廉，适用于大规模生产，且由于金属催化衬底的表面限域效应，所制备的聚噻吩薄膜具有分子级厚度。