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专利摘要

本发明提供即使在175~250℃的高温下长期保存的情况下与CuLF、Ag镀敷的密合性优异,能够成为不存在Cu线、Cu线/Al垫的接合部的断线、腐蚀的可靠性优异的半导体装置的半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置。
半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,以下述成分作为必要成分,基本上不含溴化物、红磷、磷酸酯和锑化合物。
(A)环氧树脂,(B)固化剂,(C)无机质填充剂,(D)氢氧化铋或次碳酸铋,(E)下述平均组成式(1)所示的磷腈化合物

专利状态

基础信息

专利号
CN201410646153.3
申请日
2014-11-14
公开日
2015-05-20
公开号
CN104629259A
主分类号
/C/C08/ 化学;冶金
标准类别
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

长田将一 横田龙平

申请人

信越化学工业株式会社

申请人地址

日本东京

专利摘要

本发明提供即使在175~250℃的高温下长期保存的情况下与CuLF、Ag镀敷的密合性优异,能够成为不存在Cu线、Cu线/Al垫的接合部的断线、腐蚀的可靠性优异的半导体装置的半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置。
半导体密封用环氧树脂组合物,其特征在于,以下述成分作为必要成分,基本上不含溴化物、红磷、磷酸酯和锑化合物。
(A)环氧树脂,(B)固化剂,(C)无机质填充剂,(D)氢氧化铋或次碳酸铋,(E)下述平均组成式(1)所示的磷腈化合物

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