目录

专利摘要

本发明公开了一种四胺芘电聚合空穴传输材料及其制备与其在太阳能电池中的应用。
所述四胺芘的结构式如式I所示。
该类化合物含有电化学活性的三芳胺结构单元,其在二氯甲烷等溶剂中可以电化学原位聚合成膜,该电聚合薄膜具有良好的空穴迁移率以及电子阻挡性能,且制备工艺简单、成本低。
通过光物理性质和电化学性能测试表明,所述电聚合空穴传输材料能级与钙钛矿能级相匹配。
将其作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池中,具有良好的光电转换效率和稳定性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010268932.X
申请日
2020-04-08
公开日
2021-07-13
公开号
CN111454245B
主分类号
/C/C08/ 化学;冶金
标准类别
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

钟羽武 邵将洋 李冬梅 孟庆波

申请人

中国科学院化学研究所

申请人地址

100190 北京市海淀区中关村北一街2号

专利摘要

本发明公开了一种四胺芘电聚合空穴传输材料及其制备与其在太阳能电池中的应用。
所述四胺芘的结构式如式I所示。
该类化合物含有电化学活性的三芳胺结构单元,其在二氯甲烷等溶剂中可以电化学原位聚合成膜,该电聚合薄膜具有良好的空穴迁移率以及电子阻挡性能,且制备工艺简单、成本低。
通过光物理性质和电化学性能测试表明,所述电聚合空穴传输材料能级与钙钛矿能级相匹配。
将其作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池中,具有良好的光电转换效率和稳定性。

相似专利技术