本发明是针对特殊的硅蚀刻剂组合物同时具有对两种晶格方向低选择比(Si(100)/Si(111))及低二氧化硅蚀刻率，适用于半导体制造过程，其包含以蚀刻剂组合物总重量计，约0.5重量％至约5重量％的至少一种四级铵氢氧化物、约5重量％至55重量％的至少一种一级胺化合物、约15重量％至80重量％的至少一种多元醇化合物、及约10重量％至35重量％的水性介质。
其中比起存于基材上的二氧化硅，该组合物优先蚀刻存于前述基材上的硅。

谢宗其

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本发明是针对特殊的硅蚀刻剂组合物同时具有对两种晶格方向低选择比(Si(100)/Si(111))及低二氧化硅蚀刻率，适用于半导体制造过程，其包含以蚀刻剂组合物总重量计，约0.5重量％至约5重量％的至少一种四级铵氢氧化物、约5重量％至55重量％的至少一种一级胺化合物、约15重量％至80重量％的至少一种多元醇化合物、及约10重量％至35重量％的水性介质。
其中比起存于基材上的二氧化硅，该组合物优先蚀刻存于前述基材上的硅。