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专利名称
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专利号
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申请日期
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专利状态
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1 | 一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法 | CN201710905082.8 | 2017-09-29 | 授权 |
2 | 一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法 | CN201911381213.2 | 2019-12-27 | 审查中-实审 |
3 | 一种具有电阻开关效应的BFO基超晶格/LSMO复合薄膜及其制备方法 | CN201811088056.1 | 2018-09-18 | 审查中-实审 |
4 | 一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法 | CN201911163336.9 | 2019-11-25 | 有效专利 |
5 | 采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te薄膜的方法 | CN202010258916.2 | 2020-04-03 | 审查中-实审 |
6 | 一种基于水热晶格转型的湿法冶金浸出液净化除铁的方法 | CN202010751934.4 | 2020-07-30 | 有效专利 |
7 | 具有针对两种晶格方向低选择比(Si(100)/Si(111))及低二氧化硅蚀刻率的硅蚀刻剂组合物 | CN201811559290.8 | 2018-12-18 | 有效专利 |
8 | 一种具有超晶格有序结构的锂离子电池正极材料及其合成方法 | CN201810224548.2 | 2018-03-19 | 审查中-实审 |