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专利摘要

本发明公开了一种高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷及其制备方法与应用,该荧光陶瓷化学式为:(Gd1‑x‑zLuxCez)3(Al1‑yGay)5O12:zCe3+,其中x为晶体结构稳定离子Lu3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数,y为晶体结构稳定离子Ga3+掺杂Al3+位的摩尔百分数,z为Ce3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数,0.05≤x≤0.15,0.15≤y≤0.2,0.001≤z≤0.01;采用流延法和高温固相反应烧结实现陶瓷素坯的成型与烧结。
本发明的透明荧光陶瓷材料具有发射光谱主峰575~580nm之间,半高宽在140~145nm之间,在高功率LED(350~500mA)或LD(4W~10W)激发下,实现暖白光发射,色温2800~3000K,显色指数80~84,且制备工艺简单,过程可控。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811464585.7
申请日
2018-12-03
公开日
2019-04-09
公开号
CN109592978A
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张乐 马跃龙 陈浩

申请人

江苏师范大学

申请人地址

221116 江苏省徐州市铜山新区上海路101号

专利摘要

本发明公开了一种高功率LED/LD照明用暖白光高显指荧光陶瓷及其制备方法与应用,该荧光陶瓷化学式为:(Gd1‑x‑zLuxCez)3(Al1‑yGay)5O12:zCe3+,其中x为晶体结构稳定离子Lu3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数,y为晶体结构稳定离子Ga3+掺杂Al3+位的摩尔百分数,z为Ce3+掺杂Gd3+位的摩尔百分数,0.05≤x≤0.15,0.15≤y≤0.2,0.001≤z≤0.01;采用流延法和高温固相反应烧结实现陶瓷素坯的成型与烧结。
本发明的透明荧光陶瓷材料具有发射光谱主峰575~580nm之间,半高宽在140~145nm之间,在高功率LED(350~500mA)或LD(4W~10W)激发下,实现暖白光发射,色温2800~3000K,显色指数80~84,且制备工艺简单,过程可控。

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