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专利摘要

本发明涉及一种气相二氧化硅表面改性连续工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)细化和蓬松化:将气相二氧化硅粉体原料经细化和蓬松化装置进行细化和蓬松化,所述细化和蓬松化装置的转速为800~3000转/分;(2)催化混合负载:催化剂经催化混合负载装置负载在步骤(1)所得的气相二氧化硅粉体上;所述催化混合负载装置的转速为1500~3000转/分;(3)表面改性;(4)粉体脱低;(5)尾气除尘和尾气吸收;(6)粉体冷却。
本发明所述气相二氧化硅表面改性连续工艺可制备得到原料粉体表面改性均匀、疏水性能好的改性气相法二氧化硅。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010108155.2
申请日
2020-02-21
公开日
2021-07-06
公开号
CN111286215B
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

吴春蕾 段先健 罗勇良 王跃林 王成刚

申请人

广州汇富研究院有限公司 湖北汇富纳米材料股份有限公司

申请人地址

510000 广东省广州市高新技术产业开发区科学城南翔三路15号实验楼508房

专利摘要

本发明涉及一种气相二氧化硅表面改性连续工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)细化和蓬松化:将气相二氧化硅粉体原料经细化和蓬松化装置进行细化和蓬松化,所述细化和蓬松化装置的转速为800~3000转/分;(2)催化混合负载:催化剂经催化混合负载装置负载在步骤(1)所得的气相二氧化硅粉体上;所述催化混合负载装置的转速为1500~3000转/分;(3)表面改性;(4)粉体脱低;(5)尾气除尘和尾气吸收;(6)粉体冷却。
本发明所述气相二氧化硅表面改性连续工艺可制备得到原料粉体表面改性均匀、疏水性能好的改性气相法二氧化硅。

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