本发明公开了一种化学机械抛光液及化学机械抛光方法，其中方法包括以下步骤：a.配置化学机械抛光液，其中，所述化学机械抛光液含有1～10％的胶体二氧化硅、1‑20mM的过硫酸钾、1‑20mM的苯并三氮唑以及余量的水和pH调节剂，使得所述抛光液pH为10‑11；b.以100‑300mL/min的流量向化学机械抛光垫散布抛光液并对承载头施加1‑2psi的压力，对基板的铜互连钴阻挡层结构进行60‑120s的化学机械抛光作业。

张力飞 王同庆 路新春

清华大学 华海清科股份有限公司

100084 北京市海淀区清华园1号

本发明公开了一种化学机械抛光液及化学机械抛光方法，其中方法包括以下步骤：a.配置化学机械抛光液，其中，所述化学机械抛光液含有1～10％的胶体二氧化硅、1‑20mM的过硫酸钾、1‑20mM的苯并三氮唑以及余量的水和pH调节剂，使得所述抛光液pH为10‑11；b.以100‑300mL/min的流量向化学机械抛光垫散布抛光液并对承载头施加1‑2psi的压力，对基板的铜互连钴阻挡层结构进行60‑120s的化学机械抛光作业。