本发明公开了一种用于KDP晶体的抛光液及其制备方法、应用，所述抛光液由以下体积百分比组分组成：极性相：1～10％；非极性相：30％～55％；余量为双溶剂相。
本发明的抛光液制备方法简单、性质稳定，在较低的抛光压力下(1～2.5kPa)即可实现飞切刀纹的有效去除，避免了较高的抛光压力可能带来亚表面损伤等问题，且抛光后表面粗糙度得到一定程度的改善。
抛光液成分为常用有机试剂且不与KDP发生化学反应，抛光液不使用两亲性表面活性剂，抛光后只需要采用抛光液的组分之一(双溶剂相)进行简单的表面冲洗，即可实现表面清洁，不会在表面产生任何的杂质残留。

董会 潘金龙 郭亮龙 黄姝珂 王超 王利利 李晓媛 叶敏恒

中国工程物理研究院机械制造工艺研究所

621000 四川省绵阳市绵山路64号

本发明公开了一种用于KDP晶体的抛光液及其制备方法、应用，所述抛光液由以下体积百分比组分组成：极性相：1～10％；非极性相：30％～55％；余量为双溶剂相。
本发明的抛光液制备方法简单、性质稳定，在较低的抛光压力下(1～2.5kPa)即可实现飞切刀纹的有效去除，避免了较高的抛光压力可能带来亚表面损伤等问题，且抛光后表面粗糙度得到一定程度的改善。
抛光液成分为常用有机试剂且不与KDP发生化学反应，抛光液不使用两亲性表面活性剂，抛光后只需要采用抛光液的组分之一(双溶剂相)进行简单的表面冲洗，即可实现表面清洁，不会在表面产生任何的杂质残留。