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专利摘要

一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法属于微米级晶型、粒径可控粉体制备领域。
碳酸铈原料放入刚玉坩埚中,置入马弗炉中以2‑10℃/min的升温速率升温到400℃‑1050℃,而后保温2‑8小时,自然降至室温即得到二氧化铈抛光粉体。
采用碳酸铈原料焙烧法制备二氧化铈,通过改变焙烧温度、升温速率、保温时间等因素制备微米级可控晶型、可控粒径二氧化铈抛光粉的方法,其制备方法可操作性强,焙烧工艺简单,焙烧温度、保温时间、升温速率控制精确,可获得从原料碳酸铈到可控晶型、可控粒径的微米级CeO

专利状态

基础信息

专利号
CN202010671309.9
申请日
2020-07-13
公开日
2020-12-29
公开号
CN112142088A
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

冯平仓 梅燕 夏烨

申请人

四川瑞驰拓维机械制造有限公司 北京工业大学

申请人地址

618218 四川省德阳市绵竹市江苏工业园区昆山路20号

专利摘要

一种焙烧法制备二氧化铈抛光粉的方法属于微米级晶型、粒径可控粉体制备领域。
碳酸铈原料放入刚玉坩埚中,置入马弗炉中以2‑10℃/min的升温速率升温到400℃‑1050℃,而后保温2‑8小时,自然降至室温即得到二氧化铈抛光粉体。
采用碳酸铈原料焙烧法制备二氧化铈,通过改变焙烧温度、升温速率、保温时间等因素制备微米级可控晶型、可控粒径二氧化铈抛光粉的方法,其制备方法可操作性强,焙烧工艺简单,焙烧温度、保温时间、升温速率控制精确,可获得从原料碳酸铈到可控晶型、可控粒径的微米级CeO

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