本发明提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法，包括如下步骤：1)对锑化镓单晶片进行双面磨削，去除锑化镓单晶片表面的损伤；2)对磨削后的锑化镓单晶片采用抛光布配合抛光液进行化学机械抛光；3)对化学机械抛光后的锑化镓单晶片进行取片清洗。
该发明通过对抛光液的组分和含量，以及与之配合的抛光布进行选择优化，实现了锑化镓单晶片抛光的一步成型，无需经过粗抛、中抛、精抛三步抛光，工艺简单，稳定性好，且锑化镓单晶片抛光后表面质量高，无划痕和起雾的缺陷，表面粗糙度低，可达到粗糙度值Ra小于0.15nm。

严冰 梁红昱 张冰洁 张传杰 刘伟华

武汉高芯科技有限公司

430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

本发明提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法，包括如下步骤：1)对锑化镓单晶片进行双面磨削，去除锑化镓单晶片表面的损伤；2)对磨削后的锑化镓单晶片采用抛光布配合抛光液进行化学机械抛光；3)对化学机械抛光后的锑化镓单晶片进行取片清洗。
该发明通过对抛光液的组分和含量，以及与之配合的抛光布进行选择优化，实现了锑化镓单晶片抛光的一步成型，无需经过粗抛、中抛、精抛三步抛光，工艺简单，稳定性好，且锑化镓单晶片抛光后表面质量高，无划痕和起雾的缺陷，表面粗糙度低，可达到粗糙度值Ra小于0.15nm。