本发明提供作为光刻的一部分或作为电子封装的一部分的化学机械抛光(CMP抛光)半导体晶片或衬底上的旋涂有机聚合物膜的方法。
所述方法包含将有机聚合物液体旋涂在半导体晶片或衬底上；至少部分地固化所述旋涂涂层以形成有机聚合物膜；和用抛光垫和水性CMP抛光组合物CMP抛光所述有机聚合物膜，所述水性CMP抛光组合物的pH为1.5到4.5，并且包含含有一个或多个阳离子氮或磷原子的细长、弯曲或球状二氧化硅颗粒，以总CMP抛光组合物固体计0.005到0.5重量％的含有硫酸根基团的C

J·考兹休克 L·M·库克 M·E·米尔斯

罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

美国特拉华州

本发明提供作为光刻的一部分或作为电子封装的一部分的化学机械抛光(CMP抛光)半导体晶片或衬底上的旋涂有机聚合物膜的方法。
所述方法包含将有机聚合物液体旋涂在半导体晶片或衬底上；至少部分地固化所述旋涂涂层以形成有机聚合物膜；和用抛光垫和水性CMP抛光组合物CMP抛光所述有机聚合物膜，所述水性CMP抛光组合物的pH为1.5到4.5，并且包含含有一个或多个阳离子氮或磷原子的细长、弯曲或球状二氧化硅颗粒，以总CMP抛光组合物固体计0.005到0.5重量％的含有硫酸根基团的C