一种粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法，该粘接膜是由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其中，上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10‑6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10‑8GPa)，导热系数为0.5W/m·K以上。
S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。
Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。
另外，[]内表示单位。

切替德之 佐野透 森田稔

古河电气工业株式会社

日本东京都

一种粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法，该粘接膜是由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其中，上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10‑6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10‑8GPa)，导热系数为0.5W/m·K以上。
S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。
Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。
另外，[]内表示单位。