目录

专利摘要

本发明公开了一种基于碳化硼纳米片增强吡啶钌电致化学发光效应的汞离子检测方法,属于电致化学发光技术领域。
将碳化硼纳米片涂覆在玻碳电极表面制备碳化硼纳米片修饰玻碳电极,碳化硼纳米片可增强吡啶钌的ECL效率,得到强而稳定的吡啶钌的阳极ECL信号。
当溶液中存在Hg

专利状态

基础信息

专利号
CN202010543918.6
申请日
2020-06-15
公开日
2021-07-20
公开号
CN111912837B
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

梁汝萍 李雅捷 邱建丁

申请人

南昌大学

申请人地址

330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

专利摘要

本发明公开了一种基于碳化硼纳米片增强吡啶钌电致化学发光效应的汞离子检测方法,属于电致化学发光技术领域。
将碳化硼纳米片涂覆在玻碳电极表面制备碳化硼纳米片修饰玻碳电极,碳化硼纳米片可增强吡啶钌的ECL效率,得到强而稳定的吡啶钌的阳极ECL信号。
当溶液中存在Hg

相似专利技术