本发明公开一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法，利用SiC晶体的切割液的装置配制而成，所述SiC晶体的切割液的装置包括储液桶、进气孔隔板，压缩空气进气口、恒温水盘管、超声波发生器、电动机、搅拌叶轮和温度监控传感器；本发明用于切割SiC晶体的切割液配制方法，配制出来SiC晶体切割液浓度均匀性比较好、不存在颗粒团聚，可以大大提高切割液的切割能力，切割出来的晶片弯曲度、翘曲度及总厚度无偏差，而且有效降低晶片后道加工难度，降低生产成本。

汪良 张洁

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本发明公开一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法，利用SiC晶体的切割液的装置配制而成，所述SiC晶体的切割液的装置包括储液桶、进气孔隔板，压缩空气进气口、恒温水盘管、超声波发生器、电动机、搅拌叶轮和温度监控传感器；本发明用于切割SiC晶体的切割液配制方法，配制出来SiC晶体切割液浓度均匀性比较好、不存在颗粒团聚，可以大大提高切割液的切割能力，切割出来的晶片弯曲度、翘曲度及总厚度无偏差，而且有效降低晶片后道加工难度，降低生产成本。