本发明提供一种含水化学机械平面化抛光(CMP抛光)组合物，其包含一种或多种含水胶态二氧化硅颗粒(优选球形胶体二氧化硅颗粒)分散体、等电点(pI)低于5的一种或多种胺羧酸(优选酸性氨基酸或吡啶酸)以及具有C6到C10烷基、芳基或烷芳基疏水基团的一种或多种乙氧基化阴离子表面活性剂，其中所述组合物具有3到5的pH。
所述组合物在抛光中实现良好的氮化硅去除和氮化物与氧化物的选择性去除。

N·K·彭塔 郭毅 D·莫斯利 M·万哈尼赫姆 K·E·特泰

罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

美国特拉华州

本发明提供一种含水化学机械平面化抛光(CMP抛光)组合物，其包含一种或多种含水胶态二氧化硅颗粒(优选球形胶体二氧化硅颗粒)分散体、等电点(pI)低于5的一种或多种胺羧酸(优选酸性氨基酸或吡啶酸)以及具有C6到C10烷基、芳基或烷芳基疏水基团的一种或多种乙氧基化阴离子表面活性剂，其中所述组合物具有3到5的pH。
所述组合物在抛光中实现良好的氮化硅去除和氮化物与氧化物的选择性去除。