本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。
本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简单、除杂彻底、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。
处理后的产品纯度可以达到7.5N以上，Si含量小于10ppb，S、Na、Mg、Fe、Zn含量均小于2ppb，达到MBE源的使用要求。

刘留 曾小东 郭金伯 朱刘 何志达 陈昭龙

广东先导先进材料股份有限公司

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B

本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。
本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简单、除杂彻底、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。
处理后的产品纯度可以达到7.5N以上，Si含量小于10ppb，S、Na、Mg、Fe、Zn含量均小于2ppb，达到MBE源的使用要求。