一种高纯砷晶体的制备方法 下载此专利PDF版本

CN201911382195.X 晶体 高纯

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专利摘要

本发明提供了一种高纯砷晶体的制备方法，属于原材料提纯技术领域。
本发明在250～295℃进行第一阶段保温，有助于As

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN201911382195.X
申请日
2019-12-27
公开日
2021-06-04
公开号
CN110923457B
主分类号
/C/C21/ 化学；冶金
标准类别
铁的冶金
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

董持衡 成者 涂畅 马衍伟

申请人

中国科学院电工研究所

申请人地址

100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所

专利摘要

本发明提供了一种高纯砷晶体的制备方法，属于原材料提纯技术领域。
本发明在250～295℃进行第一阶段保温，有助于As

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