本发明公开了一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法，该应用于超细碳化钨制备的抑制剂为含Ta和V的钴基复合粉末，所述含Ta和V的钴基复合粉末中Ta、V、Co三者的质量比为为2:1：(20～40)。
本发明通过液相沉淀法以及碳化得到TaC‑VC的掺杂复合粉体，并通过液相还原法制备纳米钴粉，然后将TaC‑VC所组成的复合相均匀分布于Co基粘接相中，以TaC‑VC‑Co复合体系作为抑制剂，与WC粉末混合煅烧后显著抑制WC晶粒长大，并提高了硬质合金的耐高温和耐腐蚀能力。

许开华 蒋振康 彭光辉 向湘衡 陈晓华 杜柯

荆门美德立数控材料有限公司

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本发明公开了一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法，该应用于超细碳化钨制备的抑制剂为含Ta和V的钴基复合粉末，所述含Ta和V的钴基复合粉末中Ta、V、Co三者的质量比为为2:1：(20～40)。
本发明通过液相沉淀法以及碳化得到TaC‑VC的掺杂复合粉体，并通过液相还原法制备纳米钴粉，然后将TaC‑VC所组成的复合相均匀分布于Co基粘接相中，以TaC‑VC‑Co复合体系作为抑制剂，与WC粉末混合煅烧后显著抑制WC晶粒长大，并提高了硬质合金的耐高温和耐腐蚀能力。