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专利摘要

一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片及其制备方法和工作方式,属于表面增强拉曼散射(SERS)技术领域。
该SERS芯片为金属二聚体复合非对称平面介质波导的结构。
用阳极氧化铝(AAO)为模板,通过两次方向相反的斜蒸镀,在波导表面获得具有与AAO周期一致的金属二聚体阵列结构。
与其他SERS芯片不同,本专利中入射光斜入射至金属二聚体,在共振角下由于金属二聚体可以近场耦合波导模式,进一步增强了SERS信号。
通过实验和理论模拟证明了入射光斜入射时,波导模式可以被直接激发,从而得到更强的SERS信号。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010016916.1
申请日
2020-01-08
公开日
2021-07-27
公开号
CN111175276B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

徐抒平 田雨 徐蔚青 丛丽丽

申请人

吉林大学

申请人地址

130012 吉林省长春市前进大街2699号

专利摘要

一种基于金属二聚体近场耦合波导模式的表面增强拉曼散射芯片及其制备方法和工作方式,属于表面增强拉曼散射(SERS)技术领域。
该SERS芯片为金属二聚体复合非对称平面介质波导的结构。
用阳极氧化铝(AAO)为模板,通过两次方向相反的斜蒸镀,在波导表面获得具有与AAO周期一致的金属二聚体阵列结构。
与其他SERS芯片不同,本专利中入射光斜入射至金属二聚体,在共振角下由于金属二聚体可以近场耦合波导模式,进一步增强了SERS信号。
通过实验和理论模拟证明了入射光斜入射时,波导模式可以被直接激发,从而得到更强的SERS信号。

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