一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法 下载此专利PDF版本

CN202010141725.8 晶体 传感器 波导 设计 电场

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专利摘要

本发明公开了一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法，首先利用原料Bi

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 审查中-实审

基础信息

专利号
CN202010141725.8
申请日
2020-03-04
公开日
2020-07-24
公开号
CN111441085A
主分类号
/C/C23/ 化学；冶金
标准类别
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

王瑾 胡煌 季启政 冯娜 陈秋荻 龙丹

申请人

中国地质大学(武汉) 北京东方计量测试研究所

申请人地址

430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号

专利摘要

本发明公开了一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法，首先利用原料Bi

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