目录

专利摘要

本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。
该物理气相沉积腔室包括,腔室本体,在所述腔室本体内设置有上电极组件,所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件,与所述底板组件间隔叠置的背板,以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件,所述连接组件包括连接栓,所述连接栓的栓头与所述底板组件相连,栓杆与所述背板螺纹连接。
在使用这种物理气相沉积腔室时,可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度,就可以实现调节底板组件的位置。
由此,可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911067926.1
申请日
2019-11-04
公开日
2021-07-13
公开号
CN110885965B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

郭宏瑞 李冰 黄其伟

申请人

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

专利摘要

本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。
该物理气相沉积腔室包括,腔室本体,在所述腔室本体内设置有上电极组件,所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件,与所述底板组件间隔叠置的背板,以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件,所述连接组件包括连接栓,所述连接栓的栓头与所述底板组件相连,栓杆与所述背板螺纹连接。
在使用这种物理气相沉积腔室时,可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度,就可以实现调节底板组件的位置。
由此,可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。

相似专利技术