本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。
卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。
通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。
粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。
本发明的微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，也可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。

荻野悠贵 坂本贵裕 漆畑薫

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日本兵库县

本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。
卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。
通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。
粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。
本发明的微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，也可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。