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专利摘要

本发明涉及薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法。
薄膜工序用开放掩膜片包括形成于具有规定厚度的金属片上的至少一个开口部,开口部包括:盆地形凹陷,从金属片的上部面朝向下部侧蚀刻而成,具有第一宽度和第一深度;上部槽,从盆地形凹陷的表面朝向下部侧蚀刻而成,具有小于第一宽度的第二宽度和第二深度;以及下部槽,从金属片的下部面朝向上部侧蚀刻而成,与上部槽相连通,具有第三宽度和第三深度,其中,首先,通过蚀刻来形成盆地形凹陷,之后,上部槽及下部槽同时蚀刻而成,来形成盆地形凹陷的表面与金属片的下部面之间的贯通孔。
本发明可使在薄膜层边缘中的不合格及阴影现象最小化。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910480282.2
申请日
2019-06-04
公开日
2020-04-24
公开号
CN111057997A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

金永周

申请人

皮姆思株式会社

申请人地址

韩国仁川市防筑路352,101号、102号

专利摘要

本发明涉及薄膜工序用开放掩膜片及其制造方法。
薄膜工序用开放掩膜片包括形成于具有规定厚度的金属片上的至少一个开口部,开口部包括:盆地形凹陷,从金属片的上部面朝向下部侧蚀刻而成,具有第一宽度和第一深度;上部槽,从盆地形凹陷的表面朝向下部侧蚀刻而成,具有小于第一宽度的第二宽度和第二深度;以及下部槽,从金属片的下部面朝向上部侧蚀刻而成,与上部槽相连通,具有第三宽度和第三深度,其中,首先,通过蚀刻来形成盆地形凹陷,之后,上部槽及下部槽同时蚀刻而成,来形成盆地形凹陷的表面与金属片的下部面之间的贯通孔。
本发明可使在薄膜层边缘中的不合格及阴影现象最小化。

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