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专利摘要

本发明提供了一种透明导电电极的制备方法,包括如下步骤:在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜;在银纳米线导电膜上涂布基质,所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层;将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方,被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域;采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理,增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量,同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐;采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理,构成第二区域。
该方法通过预处理液对传导层进行处理,增加银纳米线的裸露数量;同时将银纳米线表面形成难溶性银盐,降低银的氧化电位,以降低银纳米线的蚀刻条件,从而降低后续工艺的蚀刻痕。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811274747.0
申请日
2018-10-30
公开日
2019-03-01
公开号
CN109402635A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

孟祥浩 顾杨 潘克菲 高绪彬

申请人

苏州诺菲纳米科技有限公司

申请人地址

215000 江苏省苏州市工业园区杏林街78号新兴产业工业坊5号厂房1楼B单元

专利摘要

本发明提供了一种透明导电电极的制备方法,包括如下步骤:在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜;在银纳米线导电膜上涂布基质,所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层;将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方,被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域;采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理,增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量,同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐;采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理,构成第二区域。
该方法通过预处理液对传导层进行处理,增加银纳米线的裸露数量;同时将银纳米线表面形成难溶性银盐,降低银的氧化电位,以降低银纳米线的蚀刻条件,从而降低后续工艺的蚀刻痕。

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