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专利摘要

本发明提供一种超高催化活性的单原子Pt负载氧化钨单层纳米片催化剂及其制备方法与应用。
本发明催化剂的制备方法如下:钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物的制备;钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物经煅烧得WO

专利状态

基础信息

专利号
CN202010066546.2
申请日
2020-01-20
公开日
2021-07-23
公开号
CN111111658B
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

侯万国 王德良 李海平 杜娜

申请人

山东大学

申请人地址

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

专利摘要

本发明提供一种超高催化活性的单原子Pt负载氧化钨单层纳米片催化剂及其制备方法与应用。
本发明催化剂的制备方法如下:钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物的制备;钨酸根或偏钨酸根阴离子插层LDHs复合物经煅烧得WO

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