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专利摘要

一种阵列结构过渡金属硒化物电极的制备及其在电解水中的应用,属电极技术领域。
第一步通过简单的预处理对镍片(NF)基底进行优化,第二步在镍片基底表面原位均匀生长金属有机骨架材料(Mn/Fe/Co/Ni/Cu‑MOF)纳米阵列,得到NF‑MOFs材料,第三步在MOFs纳米阵列表面原位硒化,最终制得NF‑M

专利状态

基础信息

专利号
CN201810297329.7
申请日
2018-04-03
公开日
2021-07-09
公开号
CN108439549B
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

李建荣 刘名乘 豆义波 谢亚勃 魏欣

申请人

北京工业大学

申请人地址

100124 北京市朝阳区平乐园100号

专利摘要

一种阵列结构过渡金属硒化物电极的制备及其在电解水中的应用,属电极技术领域。
第一步通过简单的预处理对镍片(NF)基底进行优化,第二步在镍片基底表面原位均匀生长金属有机骨架材料(Mn/Fe/Co/Ni/Cu‑MOF)纳米阵列,得到NF‑MOFs材料,第三步在MOFs纳米阵列表面原位硒化,最终制得NF‑M

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