本发明公开了一种高浓度自由基电极的制备方法，该方法将球形中空钛基体进行粗化处理，对粗化后的钛基体进行化学镀，在钛基体表面形成锡锑氧化物底层，然后将化学镀后的钛基体置于碱性电镀液中进行碱性电镀，在钛基体底层上生成α‑PbO2层，然后经酸性复合电镀，在α‑PbO2层上生成稀土金属和β‑PbO2活性层；采用以二氧化碳为激光源的激光打孔器，利用激光复制打孔法在球形中空钛基体表面加工出通孔，制得球形中空高浓度自由基电极；该方法制得的电极比表面积大，孔隙率高，自由基产生速率快且浓度高，将电极应用在有机污染物处理中，处理流程短、能耗低，可快速有效将污染物降解为小分子物质及无害的CO2和H2O。

瞿广飞 李恒 李军燕 李志顺成 杨聪庆

昆明理工大学

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

本发明公开了一种高浓度自由基电极的制备方法，该方法将球形中空钛基体进行粗化处理，对粗化后的钛基体进行化学镀，在钛基体表面形成锡锑氧化物底层，然后将化学镀后的钛基体置于碱性电镀液中进行碱性电镀，在钛基体底层上生成α‑PbO2层，然后经酸性复合电镀，在α‑PbO2层上生成稀土金属和β‑PbO2活性层；采用以二氧化碳为激光源的激光打孔器，利用激光复制打孔法在球形中空钛基体表面加工出通孔，制得球形中空高浓度自由基电极；该方法制得的电极比表面积大，孔隙率高，自由基产生速率快且浓度高，将电极应用在有机污染物处理中，处理流程短、能耗低，可快速有效将污染物降解为小分子物质及无害的CO2和H2O。