本发明公开了一种锑化铟纳米线制备方法，通过制备InSb块状金属，将InSb块状金属熔融，利用阳极氧化铝模板制备含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板，将含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板浸泡在铬酸与磷酸的混合溶液中中24小时，除去阳极氧化铝模板，再用乙醇过滤即可获得锑化铟纳米线。
同时还提供利用制备得到锑化铟纳米线制备有机场效应晶体管型内存的方法。
本发明制备得到的锑化铟纳米线应用于有机场效晶体管电荷储存层，可降低晶体管功率。

林东 张小菊 王涛 林子琦 刘守法

西京学院

710100 陕西省西安市长安区西京路1号

本发明公开了一种锑化铟纳米线制备方法，通过制备InSb块状金属，将InSb块状金属熔融，利用阳极氧化铝模板制备含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板，将含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板浸泡在铬酸与磷酸的混合溶液中中24小时，除去阳极氧化铝模板，再用乙醇过滤即可获得锑化铟纳米线。
同时还提供利用制备得到锑化铟纳米线制备有机场效应晶体管型内存的方法。
本发明制备得到的锑化铟纳米线应用于有机场效晶体管电荷储存层，可降低晶体管功率。