本发明公开了一种制备大面积连续单层单晶石墨烯薄膜的方法。
该方法，包括如下步骤：对单晶铜进行电化学抛光，得到单晶铜基底，再在所述单晶铜基底上进行石墨烯的生长，得到所述连续单层单晶石墨烯薄膜。
高温下金属铜表面会附着许多的硅氧化合物，严重影响石墨烯的生长，而电化学抛光可以去除该物质，使铜表面变得平整洁净。
进而再用该单晶铜生长石墨烯可得到取向相同的单层石墨烯岛，连接起来后即可得到连续单层单晶石墨烯薄膜。

武斌 张家宁 刘云圻

中国科学院化学研究所

100080 北京市海淀区中关村北一街2号

本发明公开了一种制备大面积连续单层单晶石墨烯薄膜的方法。
该方法，包括如下步骤：对单晶铜进行电化学抛光，得到单晶铜基底，再在所述单晶铜基底上进行石墨烯的生长，得到所述连续单层单晶石墨烯薄膜。
高温下金属铜表面会附着许多的硅氧化合物，严重影响石墨烯的生长，而电化学抛光可以去除该物质，使铜表面变得平整洁净。
进而再用该单晶铜生长石墨烯可得到取向相同的单层石墨烯岛，连接起来后即可得到连续单层单晶石墨烯薄膜。