本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。
该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60‑120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。
基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。

李兴旺 马晓明 张月娟 夏士兴 杨国利 王永国

北京雷生强式科技有限责任公司 中国电子科技集团公司第十一研究所

100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号11所西门

本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。
该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60‑120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。
基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。