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专利摘要

本发明涉及半导体加工设备技术领域,且公开了一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,包括活动盘,所述活动盘的底侧贯穿有连接筒,连接筒的内侧壁中贯穿有活动圈,活动圈的外侧壁中贯穿连接筒的侧壁活动连接有活动块,连接筒的外侧壁贯穿有活动筒,活动筒的顶端固定连接有连接块,连接块的顶端活动连接有活动球。
通过将活动盘向下按压的过程中,连接筒的侧壁可直接贯穿至活动筒的内侧壁中,连接筒的侧壁在刚开始进入至活动筒的内部期间,活动球的侧壁可顺着连接筒的外侧壁向上滑动,连接筒的侧壁处会受到由下至上的挤压,可限制住溶液流动的速度,缩小通道,无杂质的溶液可顺利通过,可溶解掉溶液中的气泡。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011132212.7
申请日
2020-10-21
公开日
2021-02-09
公开号
CN112342626A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

陈一霖

申请人

凌鹰文案策划(温州)有限公司

申请人地址

325500 浙江省温州市泰顺县泗溪镇廊桥中路62号401室(托管-79)

专利摘要

本发明涉及半导体加工设备技术领域,且公开了一种可避免杂质混入晶体内的智能制造用半导体加工装置,包括活动盘,所述活动盘的底侧贯穿有连接筒,连接筒的内侧壁中贯穿有活动圈,活动圈的外侧壁中贯穿连接筒的侧壁活动连接有活动块,连接筒的外侧壁贯穿有活动筒,活动筒的顶端固定连接有连接块,连接块的顶端活动连接有活动球。
通过将活动盘向下按压的过程中,连接筒的侧壁可直接贯穿至活动筒的内侧壁中,连接筒的侧壁在刚开始进入至活动筒的内部期间,活动球的侧壁可顺着连接筒的外侧壁向上滑动,连接筒的侧壁处会受到由下至上的挤压,可限制住溶液流动的速度,缩小通道,无杂质的溶液可顺利通过,可溶解掉溶液中的气泡。

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