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专利摘要

本发明提供了一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统,包括:S1、根据单晶规格计算需求多晶料剩余长度,当多晶料剩余长度达到设定值后,打开收尾程序,使单晶直径逐渐从205mm收细到160‑180mm;S2、当单晶直径收细到160‑180mm后,调节单晶下速和多晶上速、以及功率,使单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离;S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后,降低功率设定值,单晶下速与所述步骤S2中的调节后的单晶下速保持一致,对多晶上速进行调节;S4、进行降温处理,到达设定时间后开启炉门,拆取单晶。
本发明所述的大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统完全实现了自动化,基本剔除了人工操作带来的不确定性,更加智能、科学,有效的提高了工作效率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811565919.X
申请日
2018-12-20
公开日
2020-09-22
公开号
CN109487331B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

刘凯 王遵义 郝大维 刘琨 涂颂昊 孙健 王彦君

申请人

天津中环领先材料技术有限公司

申请人地址

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内

专利摘要

本发明提供了一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统,包括:S1、根据单晶规格计算需求多晶料剩余长度,当多晶料剩余长度达到设定值后,打开收尾程序,使单晶直径逐渐从205mm收细到160‑180mm;S2、当单晶直径收细到160‑180mm后,调节单晶下速和多晶上速、以及功率,使单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离;S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后,降低功率设定值,单晶下速与所述步骤S2中的调节后的单晶下速保持一致,对多晶上速进行调节;S4、进行降温处理,到达设定时间后开启炉门,拆取单晶。
本发明所述的大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统完全实现了自动化,基本剔除了人工操作带来的不确定性,更加智能、科学,有效的提高了工作效率。

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