本发明提供一种复合寿命的控制方法,其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序;实施热处理的热处理工序A;对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序;及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B,从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命,该方法的特征在于,在热处理工序A中,根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co,使硅单晶基板中的氮向外扩散,从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn,然后,进行粒子束照射工序。
由此,能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差,能够以高精度控制复合寿命。
竹野博
信越半导体株式会社
日本东京都
本发明提供一种复合寿命的控制方法,其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序;实施热处理的热处理工序A;对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序;及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B,从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命,该方法的特征在于,在热处理工序A中,根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co,使硅单晶基板中的氮向外扩散,从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn,然后,进行粒子束照射工序。
由此,能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差,能够以高精度控制复合寿命。