本申请涉及光伏领域,提供一种单晶硅制备方法及装置,其中,方法包括以下步骤:将掺杂剂、多晶硅原料以及重掺杂硅原料放入坩埚中,重掺杂硅原料平铺设于坩埚底部,掺杂剂与多晶硅原料混合并铺设于重掺杂硅原料上;将坩埚置于单晶炉内,对单晶炉进行抽真空操作后通入保护气体,并在保护气体作用下熔化多晶硅原料及掺杂剂,得到硅熔体,控制重掺杂硅原料不熔化;当硅熔体温度稳定后,将晶种浸入硅熔体中,之后依次进行引晶,放肩,等径生长阶段,其中,在等径生长过程中,由上往下熔化至少部分重掺杂硅原料,使得重掺杂硅原料中的掺杂元素进入硅熔体中以实现再次掺杂。
本申请的单晶硅制备方法及装置,降低单晶硅含氧量,提高硅棒电阻率集中度。
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浙江晶科能源有限公司
314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
本申请涉及光伏领域,提供一种单晶硅制备方法及装置,其中,方法包括以下步骤:将掺杂剂、多晶硅原料以及重掺杂硅原料放入坩埚中,重掺杂硅原料平铺设于坩埚底部,掺杂剂与多晶硅原料混合并铺设于重掺杂硅原料上;将坩埚置于单晶炉内,对单晶炉进行抽真空操作后通入保护气体,并在保护气体作用下熔化多晶硅原料及掺杂剂,得到硅熔体,控制重掺杂硅原料不熔化;当硅熔体温度稳定后,将晶种浸入硅熔体中,之后依次进行引晶,放肩,等径生长阶段,其中,在等径生长过程中,由上往下熔化至少部分重掺杂硅原料,使得重掺杂硅原料中的掺杂元素进入硅熔体中以实现再次掺杂。
本申请的单晶硅制备方法及装置,降低单晶硅含氧量,提高硅棒电阻率集中度。