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专利摘要

本发明的目的在于制造无晶粒边界的大型单晶,所述单晶是在垂直方向和水平方向上均为具有最佳添加物浓度的均质组成的高品质单晶。
单晶制造装置,其至少具备:将一定量的粒状原料向下方供给的粒状原料供给单元,将由所述粒状原料供给单元供给的粒状原料加热并熔解而得的原料熔液向下方供给的粒状原料熔解单元,使单晶从接收用第1红外线照射装置向种晶单晶的上表面照射红外线而形成的熔液以及由所述粒状原料熔解单元供给的原料熔液而形成的混合熔液析出的结晶化单元。

专利状态

基础信息

专利号
CN201880001867.5
申请日
2018-03-29
公开日
2021-04-02
公开号
CN110546314B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

进藤勇 羽生真之

申请人

株式会社水晶系统

申请人地址

日本山梨县

专利摘要

本发明的目的在于制造无晶粒边界的大型单晶,所述单晶是在垂直方向和水平方向上均为具有最佳添加物浓度的均质组成的高品质单晶。
单晶制造装置,其至少具备:将一定量的粒状原料向下方供给的粒状原料供给单元,将由所述粒状原料供给单元供给的粒状原料加热并熔解而得的原料熔液向下方供给的粒状原料熔解单元,使单晶从接收用第1红外线照射装置向种晶单晶的上表面照射红外线而形成的熔液以及由所述粒状原料熔解单元供给的原料熔液而形成的混合熔液析出的结晶化单元。

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