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专利摘要

本实用新型公开了一种晶体生长炉及其使用的坩埚盖板,晶体生长炉用于泡生法生长晶体,包括:具有开口的坩埚、围绕坩埚设置的加热器、坩埚上方的保温层,具有中心孔的坩埚盖板盖在坩埚的开口上,坩埚盖板的中心孔从中心延孔径方向逐步变小,在生长晶体的过程中消除了原来圆形孔坩埚盖板形成的温度突变截面,显著地减少了圆形孔附近晶体的热应力,降低了大尺寸晶体开裂的概率。

专利状态

基础信息

专利号
CN202020126144.2
申请日
2020-01-20
公开日
2021-02-02
公开号
CN212451742U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈建明 杨胜裕 刘乾坤 齐凡 刘艺霖

申请人

福建晶安光电有限公司

申请人地址

362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园

专利摘要

本实用新型公开了一种晶体生长炉及其使用的坩埚盖板,晶体生长炉用于泡生法生长晶体,包括:具有开口的坩埚、围绕坩埚设置的加热器、坩埚上方的保温层,具有中心孔的坩埚盖板盖在坩埚的开口上,坩埚盖板的中心孔从中心延孔径方向逐步变小,在生长晶体的过程中消除了原来圆形孔坩埚盖板形成的温度突变截面,显著地减少了圆形孔附近晶体的热应力,降低了大尺寸晶体开裂的概率。

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