本发明公开了一种TGG晶体生长方法，包括如下步骤：对Tb4O7以及Ga2O3原料进行加热处理；对加热处理后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行球磨处理；对球磨处理之后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行过筛后放入坩埚，并将盛有原料的坩埚放入晶体生长炉；对坩埚进行加热；在Tb4O7以及Ga2O3原料熔化之后，调整熔融料温度至高于TGG晶体熔化温度5‑10℃；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶与熔融料液面接触，在籽晶与熔融料液面接触时，籽晶杆保持第一转速；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶沉入熔融料液面之下，在籽晶沉入熔融料液面之下的过程中，籽晶杆保持第二转速；调整籽晶杆转速以使得籽晶杆保持第三转速以便进行引晶；及当晶种直径扩张至10‑15mm之后，提拉籽晶杆，并调整籽晶杆转速至第四转速。

马孙明 郭玉勇 彭方

安徽晶宸科技有限公司

231200 安徽省合肥市肥西县桃花工业园工投立恒工业广场A17栋

本发明公开了一种TGG晶体生长方法，包括如下步骤：对Tb4O7以及Ga2O3原料进行加热处理；对加热处理后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行球磨处理；对球磨处理之后的Tb4O7以及Ga2O3原料进行过筛后放入坩埚，并将盛有原料的坩埚放入晶体生长炉；对坩埚进行加热；在Tb4O7以及Ga2O3原料熔化之后，调整熔融料温度至高于TGG晶体熔化温度5‑10℃；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶与熔融料液面接触，在籽晶与熔融料液面接触时，籽晶杆保持第一转速；调整籽晶杆以使得籽晶杆顶端的籽晶沉入熔融料液面之下，在籽晶沉入熔融料液面之下的过程中，籽晶杆保持第二转速；调整籽晶杆转速以使得籽晶杆保持第三转速以便进行引晶；及当晶种直径扩张至10‑15mm之后，提拉籽晶杆，并调整籽晶杆转速至第四转速。