本申请公开了一种晶体生长方法和装置。
该晶体生长方法和装置能够抑制晶体生长过程中生长腔体的氧化挥发。
在对装有生长晶体的原料的生长腔体进行初步抽真空处理后，在加热生长腔体过程中，对生长腔体进行二次抽真空处理，然后向生长腔体通入保护气体以及对生长腔体进行换气处理，能有效地减少生长腔体内的氧气，进而抑制晶体生长过程中的生长腔体氧化挥发的问题，从而提高晶体质量。

王宇 官伟明 梁振兴 李敏

眉山博雅新材料有限公司

620010 四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号

本申请公开了一种晶体生长方法和装置。
该晶体生长方法和装置能够抑制晶体生长过程中生长腔体的氧化挥发。
在对装有生长晶体的原料的生长腔体进行初步抽真空处理后，在加热生长腔体过程中，对生长腔体进行二次抽真空处理，然后向生长腔体通入保护气体以及对生长腔体进行换气处理，能有效地减少生长腔体内的氧气，进而抑制晶体生长过程中的生长腔体氧化挥发的问题，从而提高晶体质量。