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专利摘要

本发明提出了铁酸铋纳米单晶阵列及其制备方法和含有其的电子元件,制备所述铁酸铋纳米单晶阵列的方法包括:(1)将五水合硝酸铋、九水合硝酸铁、乙二醇甲醚和柠檬酸进行混合,得到溶胶;(2)将所述溶胶滴在衬底上,进行甩胶,形成凝胶层,再对所述凝胶层进行热固化;(3)将步骤(2)所得形成有凝胶层的衬底进行烘干、热分解和退火处理,得到铁酸铋纳米单晶阵列。
利用本发明的方法所获得的铁酸铋纳米单晶阵列面密度高、尺寸均匀、压电性能优异、纯度高,操作简便,易于实现精确的成分控制和定量掺杂;可制备大面积压电点阵;设备简单,用料省,成本低,易于实现工业化生产。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010948863.7
申请日
2020-09-10
公开日
2021-01-15
公开号
CN112226808A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

李静锋 刘丽莎 黄宇 舒亮

申请人

清华大学

申请人地址

100084 北京市海淀区清华园

专利摘要

本发明提出了铁酸铋纳米单晶阵列及其制备方法和含有其的电子元件,制备所述铁酸铋纳米单晶阵列的方法包括:(1)将五水合硝酸铋、九水合硝酸铁、乙二醇甲醚和柠檬酸进行混合,得到溶胶;(2)将所述溶胶滴在衬底上,进行甩胶,形成凝胶层,再对所述凝胶层进行热固化;(3)将步骤(2)所得形成有凝胶层的衬底进行烘干、热分解和退火处理,得到铁酸铋纳米单晶阵列。
利用本发明的方法所获得的铁酸铋纳米单晶阵列面密度高、尺寸均匀、压电性能优异、纯度高,操作简便,易于实现精确的成分控制和定量掺杂;可制备大面积压电点阵;设备简单,用料省,成本低,易于实现工业化生产。

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