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专利摘要

本发明提供从混合的贵金属纳米晶体样品形成贵金属双锥体纳米晶体样品的方法,所述样品具有很低的尺寸和形状多分散性。
样品包括那些,其包含高纯度、实质上单分散、等离子体的金双锥体纳米晶体。
本发明还提供用贵金属双锥体纳米晶体充当种子颗粒生长次级成对金属纳米晶体的方法。
与其所生长自的种子双锥体纳米晶体相似,次级纳米晶体是成对的纳米晶体并且还可以具有的特征是很低的尺寸和形状多分散性。
通过这些方法生长的次级成对纳米晶体包括扩大的金属双锥体纳米晶体和具有各向异性"哑铃"形状的纳米晶体,其具有各种尖端几何形状。
本发明还提供用贵金属双锥体纳米晶体作为等离子体加热器经由等离子体‑光热辐射‑至‑热转化来加热反应溶液的方法。

专利状态

基础信息

专利号
CN201680042044.8
申请日
2016-05-09
公开日
2018-03-27
公开号
CN107849726A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

Y·魏茨曼 K·吉布森 J-H·李 Z·凯戈拉科夫

申请人

芝加哥大学

申请人地址

美国伊利诺斯州

专利摘要

本发明提供从混合的贵金属纳米晶体样品形成贵金属双锥体纳米晶体样品的方法,所述样品具有很低的尺寸和形状多分散性。
样品包括那些,其包含高纯度、实质上单分散、等离子体的金双锥体纳米晶体。
本发明还提供用贵金属双锥体纳米晶体充当种子颗粒生长次级成对金属纳米晶体的方法。
与其所生长自的种子双锥体纳米晶体相似,次级纳米晶体是成对的纳米晶体并且还可以具有的特征是很低的尺寸和形状多分散性。
通过这些方法生长的次级成对纳米晶体包括扩大的金属双锥体纳米晶体和具有各向异性"哑铃"形状的纳米晶体,其具有各种尖端几何形状。
本发明还提供用贵金属双锥体纳米晶体作为等离子体加热器经由等离子体‑光热辐射‑至‑热转化来加热反应溶液的方法。

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