本发明公开了一种霍尔推力器磁路结构，通过在外磁屏、内磁屏和磁屏底座上开孔，以及在磁屏底座和导磁底座之间留有间隙，提高了霍尔推力器放电通道的散热效率，可以降低霍尔推力器热设计的难度；通过对磁屏参数，尤其是扇形孔尺寸的优化，提高了放电通道内的磁场梯度，从而提高了电子利用率和电离效率；同时，通过对扇形孔面积的优化，使磁场径向分量的最大值超出磁屏上端，将离子对陶瓷内、外环的腐蚀溅射效应降到最低，从而最大程度地提高了霍尔推力器的寿命。

杨乐 郭宁 贾艳辉 陈娟娟

兰州空间技术物理研究所

730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号

本发明公开了一种霍尔推力器磁路结构，通过在外磁屏、内磁屏和磁屏底座上开孔，以及在磁屏底座和导磁底座之间留有间隙，提高了霍尔推力器放电通道的散热效率，可以降低霍尔推力器热设计的难度；通过对磁屏参数，尤其是扇形孔尺寸的优化，提高了放电通道内的磁场梯度，从而提高了电子利用率和电离效率；同时，通过对扇形孔面积的优化，使磁场径向分量的最大值超出磁屏上端，将离子对陶瓷内、外环的腐蚀溅射效应降到最低，从而最大程度地提高了霍尔推力器的寿命。