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专利摘要

本申请公开了一种单向阀和等离子体合成射流激励器。
其中,单向阀包括阀体和弹性膜片;阀体设有第一气道、第二气道和阀腔;阀体在阀腔内设有防冲击结构,第二气道通过防冲击结构与阀腔连通,防冲击结构在第二气道气压大于第一气道气压时防止气体从第二气道直接冲击弹性膜片;阀体在阀腔内还设有支撑结构,支撑结构用于保证所述弹性膜片在第一气道气压大于第二气道气压时开启第一气道与阀腔的连通,并在第一气道气压小于或等于第二气道气压时封闭第一气道与阀腔的连通。
等离子体合成射流激励器则附带有如上所述的单向阀用以补气。
采用上述技术方案,能够增加等离子体合成射流激励器吸气复原阶段的吸气量,同时又不会在喷射射流时漏气。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010788934.1
申请日
2020-08-07
公开日
2021-07-13
公开号
CN112013138B
主分类号
/F/F16/ 机械工程;照明;加热;武器;爆破
标准类别
工程元件或部件;为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施;一般绝热
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

刘汝兵 李飞 韦文韬 陈国涛 林麒

申请人

厦门大学

申请人地址

361000 福建省厦门市思明南路422号

专利摘要

本申请公开了一种单向阀和等离子体合成射流激励器。
其中,单向阀包括阀体和弹性膜片;阀体设有第一气道、第二气道和阀腔;阀体在阀腔内设有防冲击结构,第二气道通过防冲击结构与阀腔连通,防冲击结构在第二气道气压大于第一气道气压时防止气体从第二气道直接冲击弹性膜片;阀体在阀腔内还设有支撑结构,支撑结构用于保证所述弹性膜片在第一气道气压大于第二气道气压时开启第一气道与阀腔的连通,并在第一气道气压小于或等于第二气道气压时封闭第一气道与阀腔的连通。
等离子体合成射流激励器则附带有如上所述的单向阀用以补气。
采用上述技术方案,能够增加等离子体合成射流激励器吸气复原阶段的吸气量,同时又不会在喷射射流时漏气。

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