本发明公开一种发光二极管混光结构，包括一单一封装体、至少二个发光二极管芯片以及一荧光层。
各发光二极管芯片所发出的光强度峰值的对应波长彼此相差至少10nm。
荧光层覆设于至少二个发光二极管芯片上，荧光层均匀混和有对应彼此不同的允许激发波段的至少一种荧光粉，各荧光粉同时吸收各发光二极管芯片所发出的光强度峰值之后，荧光层输出一混光光谱。
混光光谱中色温值大于或等于4000K的波长范围内，属于蓝光区间的光强度峰值的最大值占整个波长范围内强度积分值的75％。

邢陈震仑 洪雅钰 魏浩哲

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中国台湾桃园县中坜市西园路89号

本发明公开一种发光二极管混光结构，包括一单一封装体、至少二个发光二极管芯片以及一荧光层。
各发光二极管芯片所发出的光强度峰值的对应波长彼此相差至少10nm。
荧光层覆设于至少二个发光二极管芯片上，荧光层均匀混和有对应彼此不同的允许激发波段的至少一种荧光粉，各荧光粉同时吸收各发光二极管芯片所发出的光强度峰值之后，荧光层输出一混光光谱。
混光光谱中色温值大于或等于4000K的波长范围内，属于蓝光区间的光强度峰值的最大值占整个波长范围内强度积分值的75％。