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专利摘要

本发明涉及一种小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件熔融渗硅方法。
解决对于小尺寸圆截面陶瓷基复合材料零构件LSI工艺制备过程存在的易产生内外密度梯度差、构件密度均匀差、易变形及底部液硅易堆积、粘接等问题。
主要包括制备熔融渗硅工装、加工小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品及制备小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件的步骤,本发明在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品内型内填充满SiC砂粒,同时,在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品外壁与第一坩埚单元内壁之间的间隙即料粉装填区装填料粉;内外部双面熔融渗透,有效提高改性均匀性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011347663.2
申请日
2020-11-26
公开日
2021-02-09
公开号
CN112341213A
主分类号
/F/F27/ 机械工程;照明;加热;武器;爆破
标准类别
炉;窑;烘烤炉或蒸馏炉
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

王鹏 张少博 张海昇 张晰 姜伟光 李建章

申请人

西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

申请人地址

710117 陕西省西安市高新区毕原一路西段912号

专利摘要

本发明涉及一种小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件熔融渗硅方法。
解决对于小尺寸圆截面陶瓷基复合材料零构件LSI工艺制备过程存在的易产生内外密度梯度差、构件密度均匀差、易变形及底部液硅易堆积、粘接等问题。
主要包括制备熔融渗硅工装、加工小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品及制备小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件的步骤,本发明在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品内型内填充满SiC砂粒,同时,在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品外壁与第一坩埚单元内壁之间的间隙即料粉装填区装填料粉;内外部双面熔融渗透,有效提高改性均匀性。

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